SPICE-Parameterextraktion

Extrahieren Sie MOSFET LEVEL-2 Parameter aus gemessenen Transferdaten — VTO, KP, LAMBDA, GAMMA — mit √Id-Linearisierung und LTspice-kompatibler .MODEL-Ausgabe.

Extraktionsmethode

Die √Id-Linearisierung ist die Standardmethode zur MOSFET-Parameterextraktion:

Sättigungsstrom Id = KP/2 × (Vgs - Vth)² × (1 + λ × Vds)
Linearisierte Form √Id = √(KP/2) × (Vgs - Vth)
Lineare Regression: √Id = m × Vgs + b Vth = -b/m     KP = 2 × m²

Die Steigung m und der Achsenabschnitt b der Geraden liefern direkt KP (aus m) und Vth0 (aus dem x-Achsenabschnitt).

Extraktion von LAMBDA

Aus zwei Ausgangs-Datenpunkten (festes Vgs) λ = (Id₂ - Id₁) / (Id₁ × Vds₂ - Id₂ × Vds₁)

LAMBDA beschreibt die Kanallängenmodulation — die Zunahme von Id mit Vds im Sättigungsbereich. Der konkrete Wert ist modell-, bauteil- und messabhängig.

√Id vs Vgs — Prinzip

Vgs (V) √Id (√mA) Vth Steigung m = √(KP/2) Subthreshold Sättigung Abb. 1: √Id vs Vgs — Subthreshold-Punkte (grau) werden nicht berücksichtigt. Die Steigung der Regressionsgeraden (rot) ergibt KP, der x-Achsenabschnitt ergibt Vth.

Normen & Standards

Verifizierte Referenzen (abgerufen am 3. April 2026): Links führen zu offiziellen Standard-Publishern oder Normportalen.

Norm Bezeichnung Anwendungsbereich
IEC 60747-8 Semiconductor devices — Field-effect transistors Mess- und Definitionsrahmen für MOSFET-Kennwerte, die als Basis für Parameterextraktion dienen.
DIN EN 60747-8 Feldeffekt-Transistoren Deutsche Übernahme der IEC-Methodik für Feldeffekttransistoren.
LTspice Analog Devices LTspice Referenzumgebung zur Verwendung und Verifikation der erzeugten .MODEL-Parameter im Schaltungssimulationskontext.
ngspice ngspice Open-Source-SPICE-Simulator zur Überprüfung und Nutzung extrahierter Modellparameter.

Fachbegriffe (Glossar)

VTO (Schwellenspannung)
Modellierte Schwellenspannung für den Beginn der Kanalbildung. Wird aus Transferdaten abgeleitet.
KP (Transkonduktanzparameter)
KP = µn × Cox × W/L. Bestimmt den Drainstrom. Einheit: A/V² (SPICE) oder mA/V² (Messdaten). KP ∝ 1/Tox.
LAMBDA (λ)
Kanallängenmodulationsparameter: Id = Id0(1+λVds). Beschreibt die endliche Ausgangsleitfähigkeit.
GAMMA (γ)
Body-Effekt-Koeffizient: ΔVth = γ(√(2φF+Vsb) - √(2φF)).
LEVEL-2 Modell
Physikbasiertes SPICE-MOSFET-Modell. Genauer als LEVEL-1 (Shichman-Hodges). Beinhaltet Body-Effekt, Kanallängenmodulation, Substratdotierungsprofil.
.MODEL Anweisung
SPICE-Syntax: .MODEL <name> <type> LEVEL=<n> <params>. Definiert Bauelementparameter für Simulation. Kann in LTspice, ngspice, HSPICE verwendet werden.

Häufig gestellte Fragen

Was sind SPICE LEVEL-2 Parameter?

LEVEL-2 ist das physikbasierte MOSFET-Modell in SPICE: VTO (Schwellenspannung), KP (Transkonduktanzparameter), LAMBDA (Kanallängenmodulation), GAMMA (Body-Effekt), PHI (Oberflächenpotential). Ausreichend für analoge Schaltungssimulation.

Wie extrahiert man VTO?

Ein verbreiteter Ansatz ist die √Id-gegen-Vgs-Linearisierung im geeigneten Betriebsbereich. Der Achsenabschnitt der Regression liefert VTO. Die Genauigkeit hängt stark von Messrauschen, Punktauswahl und Arbeitspunktkonsistenz ab.

Wie extrahiert man KP?

KP = 2 × m², wobei m die Steigung der √Id-Vgs-Geraden ist. KP hängt von der Oxiddicke und der Kanal-W/L ab: KP = µn × Cox × W/L. Einheit: A/V² (in SPICE) oder mA/V² (in unserem Tool).

Wie extrahiert man LAMBDA?

LAMBDA wird aus der Reststeigung im Sättigungsbereich bestimmt. Für belastbare Werte sind mehrere konsistente Ausgangspunkte bei festem Vgs und dokumentierten Messbedingungen erforderlich.

Was ist der Body-Effekt?

GAMMA (γ) beschreibt die Zunahme von Vth bei angelegter Substratvorspannung Vsb. Dieser Effekt ist für analoge Arbeitspunkte und verschachtelte Topologien relevant.

Welche Messdaten brauche ich?

Für robuste Parameterextraktion sind konsistente Transfer- und Ausgangsdaten im passenden Betriebsbereich nötig. Entscheidend sind dokumentierte Bias-Bedingungen, Temperatur und ausreichende Datenqualität.

Was bedeutet R² der Anpassung?

R² ist ein Qualitätsindikator für die Modellanpassung. Ein hoher Wert allein reicht jedoch nicht; zusätzlich sollten Residuenverteilung, Bereichsgültigkeit und physikalische Plausibilität geprüft werden.

Warum √Id und nicht Id?

Im Sättigungsbereich gilt: Id = KP/2 × (Vgs-Vth)². Die Quadratwurzel linearisiert: √Id = √(KP/2) × (Vgs-Vth). Lineare Regression auf diese transformierte Form ergibt direkt Vth (Achsenabschnitt) und KP (Steigung²).

Kann ich die Parameter in LTspice verwenden?

Ja! Die generierte .MODEL-Anweisung kann direkt in LTspice oder ngspice eingefügt werden: .MODEL M1 NMOS LEVEL=2 VTO=... KP=... LAMBDA=... Beachten Sie: KP wird in A/V² (nicht mA/V²) ausgegeben.

Was ist PHI (2φF)?

PHI (2φF) ist ein Modellparameter des Body-Effekts und beeinflusst die Vth-Abhängigkeit von der Source-Bulk-Spannung.

Verwandte Werkzeuge

Methodik & Verifizierung

Diese Seite verwendet nachvollziehbare Modellgleichungen und verweist auf Normen, Datenblätter oder Primärliteratur. Quellenlinks wurden zuletzt am 3. April 2026 gegen offizielle Veröffentlichungen geprüft.