MOSFET-Parameter Vergleichstabelle

Qualitative Referenzstruktur für die wichtigsten Parameter gängiger N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs: Vds, Ids, Rds(on), Vgs(th) und Qg. Zahlen- und Einsatzangaben sind hersteller-, revisions- und testbedingungsabhängig und müssen am konkreten Datenblatt validiert werden.

TRANSISTOR

Übersicht

Die richtige MOSFET-Auswahl erfordert den Vergleich mehrerer Schlüsselparameter: Drain-Source-Spannung (V_DS), Drain-Strom (I_D), Einschaltwiderstand (R_DS(on)), Gate-Schwellenspannung (V_GS(th)) und Gate-Ladung (Q_g).

Diese Referenztabelle ordnet populäre MOSFETs aus verschiedenen Anwendungsbereichen für den Datenblattvergleich. Die letzte Spalte dient nur als qualitative Einsatzfeld-Orientierung und ist keine Ersatz-, Layout- oder Freigabeempfehlung.

Verwenden Sie unseren MOSFET-Arbeitsbereich-Rechner und Schwellenspannungs-Rechner für detaillierte Analysen der gewählten Bauteile. Belastbar sind jedoch nur die Kennwerte des konkreten Herstellers unter den vorgesehenen Testbedingungen.

Organisierte Sammlung von Power-MOSFET-Transistoren in verschiedenen Gehäusen (TO-220, D2PAK) auf einer Bauteilablage mit Datenblatt im Elektroniklabor — MOSFET-Auswahl im Labor: Die richtige Wahl hängt von Spannung, Strom, Rds(on) und Gate-Anforderungen ab.

Referenztabelle

MOSFET-Parameter Vergleichstabelle
Bauteil	Kanal	V_DS(max) (V)	I_D(max) (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Q_g (nC)	Gehäuse	Qualitative Orientierung
IRLZ44N	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	Niedrige Gate-Spannung pruefen; Motorsteuerung
IRF540N	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	Leistungsendstufe, DC-DC
IRF3205	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	Hochstrom-Schalter, Wechselrichter
IRFZ44N	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	Allzweck-Leistungs-MOSFET
AO3400	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	SOT-23	Niedrige Gate-Spannung pruefen; Li-Ion-Schutz
Si2302	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	SOT-23	Niedrige Gate-Spannung pruefen; IoT/Wearables
BSS138	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	SOT-23	Level-Shifter, Signal-Schalter
IRFP260N	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-247	Hochspannung, Wechselrichter
IPB065N15N3	N	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	D2PAK	Server PSU, DC-DC, Sync-Rect
IRF9540N	P	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	High-Side-Schalter, Verpolschutz
IRF4905	P	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	TO-220	High-Side-Schalter, Motorsteuerung
AO3401	P	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	SOT-23	Niedrige Gate-Spannung pruefen; Lastschalter
SI2301	P	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	datenblattabhängig	SOT-23	Batterie-Management, Wearables

Hinweise zur Nutzung

1. Die numerischen Spalten sind bewusst als datenblattabhängig markiert, wenn kein einheitlicher Hersteller-, Revisions- und Prüfbedingungsstand je Typ hinterlegt ist.

2. R_DS(on), V_GS(th) und Q_g sind nur mit ihren jeweiligen Testbedingungen vergleichbar (z.B. V_GS, I_D, T_J, Messmethode).

3. V_GS(th) kennzeichnet den Beginn der Leitfähigkeit bei kleinem Prüfstrom, nicht den niederohmigen Schaltbetrieb unter Last.

4. Für die Auslegung von Schaltverlusten und Gate-Treiber-Strömen sind die Datenblattkurven zu Q_g, Q_gd sowie temperaturabhängigem R_DS(on) besonders relevant.

5. Die letzte Spalte liefert nur eine grobe Einordnung typischer Einsatzfelder und ersetzt weder SOA-, Thermik-, Layout- noch Gate-Treiber-Verifikation.

6. Begriffe wie Logic-Level oder Standard-Power-MOSFET werden in Datenblaettern und Distributoren nicht immer einheitlich verwendet. Belastbar bleiben die dokumentierten Schalt- und Verlustwerte bei Ihrer realen Gate-Spannung.

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Häufig gestellte Fragen

Wann sollte ich einen Logic-Level-MOSFET verwenden?

Verwenden Sie Logic-Level-MOSFETs, wenn das konkrete Datenblatt einen niedrigen R_DS(on) bei Ihrer real verfügbaren Gate-Spannung ausweist. Die V_GS(th)-Angabe allein reicht dafür nicht aus. Prüfen Sie zusätzlich Temperatur, Puls-/Dauerstrombedingungen und SOA.

Warum ist Rds(on) bei P-Kanal höher als bei N-Kanal?

In vielen Produktfamilien werden bei P-Kanal-Typen bei vergleichbarer Spannungsfestigkeit höhere R_DS(on)-Werte als bei N-Kanal-Typen beobachtet. Das Ausmaß ist technologie- und herstellerabhängig und sollte pro Bauteil aus dem Datenblatt verglichen werden.

Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung?

Bewährt ist eine datenblattgeführte Auswahl in drei Schritten: 1) Spannungsfestigkeit inklusive gemessener Transienten und Schutzkonzept prüfen. 2) Strom- und Verlustgrenzen mit thermischem Modell (R_th, Kühlung, Duty Cycle) validieren. 3) Schaltverhalten über R_DS(on), Q_g/Q_gd und Treiberstrom für die Ziel-Frequenz bewerten.

Quellen und Referenzen

Quellenprüfung zuletzt am 3. April 2026. Für Datensätze werden bevorzugt Primärquellen (Normen, Datenbanken, Herstellerdatenblätter) verwendet.

IEC 60747-8 — Semiconductor devices — Discrete devices — Part 8: Field-effect transistors
Vishay IRLZ44 Datasheet (Beispiel für V_GS(th), R_DS(on), Q_g inkl. Testbedingungen)
Vishay IRLZ44 Produktseite (Dokumenten- und Revisionszugang)
Infineon — MOSFET Produkt- und Dokumentationsportal
Herstellerdatenblätter der aufgeführten Typen (Vishay/Infineon/onsemi/AOS) je nach Lieferant und Revisionsstand